成果简介：

基于二硫化钼层状结构易分层、层间易插入含氧基团等特点，本成果开发了纳米二硫化钼“氧化插层-高能爆炸”高效剥离制备技术，设计了二硫化钼氧化插层与高能爆炸剥离工艺参数体系，建立了不同结构纳米层状二硫化钼构效关系，实现了其可控稳定制备，纳米二硫化钼尺寸为50～200 nm，层数为1～3层。此外，基于二硫化钼层间插层官能团还原后易发生气体膨胀特点，开发出纳米二硫化钼“氧化插层-低温还原”剥离制备技术，设计了二硫化钼氧化插层与高能爆炸剥离工艺参数体系，层状二硫化钼尺寸为100～300 nm，层数为2～5层，解决了层状二硫化钼材料剥离效率低的难题，揭示了可控合成的氧化插层机理和高能爆炸机制，并形成系列自主知识产权体系。

基于层状二硫化钼与一维碳纳米管易包覆的结构特点，提出了高缺陷密度的插层-爆炸二硫化钼材料丰富催化位点与碳纳米管材料高导电性与结构稳定性协同催化策略，开发了高催化效率与催化稳定性的二硫化钼/碳纳米管复合电催化析氢催化材料，复合材料在10 mA∙cm^-1电流密度下过电位低至77 mV，稳定循环5000圈后仍能保持高催化活性。该成果解决了纳米二硫化钼易聚集、制备效率低以及在服役时易发生体积变化导致结构坍塌的问题。

应用范围：催化、光电、信息等领域

合作方式：技术开发、技术服务、技术转让

知识产权：授权国家发明专利15件

（ZL201610144310.X、ZL201610144424.4、ZL201610143700.5、ZL201610144309.7、ZL201610144308.2、ZL201610143945.8、ZL201610964522.2、ZL201610964523.7、ZL201610968990.7、ZL201610962902.2、ZL201610965685.2、ZL201610964521.8、ZL201610962901.8、ZL201610965686.7、ZL201610965684.8），发表学术论文30余篇，获中国有色金属工业科学技术一等奖1项。

主要完成人：王快社、胡平、杨帆等