利用二次电子或背散射电子信号对金属材料、高分子材料及半导体材料等微观结构进行表面形貌及断口分析，配合能谱仪对元素进行定性及半定量分析。同时配有EBSD，与能谱仪形成一体化系统，用于材料的成分和结构组合分析。同时配有二次电子和背散射电子探测器；配有电制冷能谱仪系统（牛津X-Max 50）； 配有EBSD系统（牛津Nordlys Nano）；二次电子最高分辨率：0.7nm@15kV，1.2nm@1kV； 加速电压 ：0.02-30kV ；电子束流：3pA-20nA。

注意事项：

1.测试样品必须使用真空干燥箱进行烘干处理；

2.导电性不好的样品需要提前进行喷金处理；

3.若EM server 出现异常，不能强行启动软件；

4.若使用过程中出现异常提示，必须终止操作，在操作过程中一定要保证电镜正常运行；

5.使用背散射探头和EBSD探头时开启摄像头模式，避免样品撞到探头。